虽然用硅制造7nm节点在技术上是可行的，但是在那之后就遇到了问题，小于7nm的硅晶体管在物理上面精密相连，电子会经历量子隧🚋👱穿效应。
所谓在芯片上的量🔂♞🉤子隧穿效应，是指的电子可以连续的从一个门流向下一个门，而不是停留在预期的逻辑门之内，所以这子在本质上使得晶体管不可能处于关闭状态。
而晶体管正是需要一开一关，代表着0和1这两个计算机最本质上的东西，才能正常的运作🟇。
所以量子隧穿效应的发生，使得芯片始终无法😩制造到3nm以下🚃🐯🃗。🁽😀
虽然已经🌡🀦⚨可以制造1纳米光刻机了，但是制造出来的光刻机能用，不代表着芯片🟕🝄也能用啊。
而工业界一直在压榨着硅基底的每🐈一点产能，通过将材料转换成为m👪os2，就可以制造出一个只有1nm长的栅晶体管，🈝⚸🖉并且像是开关一样控制它。
众所周知，🞲晶体管都是由三个端子所组成的，分别是源极，漏极和栅极。
电流从个🌡🀦⚨源极流向漏极，并且由栅🐈极所控制，栅极根据所施加的电压进行导通或🟕🝄者关闭电流。
硅和mos2都是具有晶格结构，但是通过硅的电子有效质量比mos2要小。🟕🝄
所以当栅极长度为5n🀣m或者更长的时候🙸，硅晶体管可以正常的工作，但是一旦栅极长度小于这个长度的时候，一种叫做量子隧穿的量子力学⛨现象就开始出现了。
栅势垒就不能够再阻止电子从源极流入漏极，这就意味着不能够再开关晶体管，即电子失去了🎚控制。
而通过mos2的🔂♞🉤电子具有更高的质量，它们的🎞流动可以通过更小的门来进行控制。
而mos2可以缩小到原🝶🏨🜩子一样的薄片，大约有0.65纳米厚，具有较🌔⚟低的介电常数反映了材料在电场中的储存能量的能力这些特性。
所以这就使得mos2栅极长度减少到1纳🀶🁔米的时候，可以对晶体管内部的电流流动进行有序的控制。
虽然劳🟓🜮🅝伦斯伯克利国家实验室对此方案的可行性进行了实验验证，但是不得不强调的是，这里的🁲研究仍然处于非常早期🆂的阶段。
一个14纳米的芯片上有超过十亿个晶体管，而伯克利实验室团队，还没有开发出一种可行的方法，来批量生产新的1nm晶体管，甚至还没有开发🐛🀢出使用🌃☆这种晶体管的芯片。
所以通过🌡🀦⚨mos2替代硅基底的这条路，还是具有一定的🁅可行性的，但是这套路实际上能走🟇多远，所有人的心中都没有答案。
而一些白痴🞲的想法，例如说同等晶体管的数量之下，既然无法将芯片做小，那么将芯片的面积做大一倍等等行为，仔细查查资料就可以看出来，是非常反智的。
毕竟大了之🞲后的问题会很多，首先发热量会导致频率根本无法得到提升，那么做大芯片唯一🟇可以实现的就是增加芯片的物理内核。
前🝁人⚄🎺的🟓🜮🅝惨痛教训证明了这条路是完全走不通的。